台积电2nm工艺试产良率超预期，晶圆价格创新高

12月10日，据媒体报道，台积电位于台湾省新竹宝山工厂的2nm工艺试产已取得显著成果，良率达到60%，这一数据超出公司内部预期。台积电计划在明年上半年于高雄工厂启动2nm工艺试产工作，这标志着台积电在先进制程领域的持续领先地位。

晶圆代工行业通常需要70%以上的良率才能满足量产要求。台积电目前在2nm工艺试产阶段达到60%的良率，表明公司在大规模量产前仍有充足时间优化工艺并进一步提升良率。

台积电在2nm节点上首度采用了Gate-all-around FETs（GAA）晶体管结构，并结合NanoFlex技术，为芯片设计提供更高灵活性。与现有的N3E工艺相比，N2工艺在性能和能效上均有显著提升。性能提升，相同功耗下，性能提升10%至15%。能效提升，相同频率下，功耗降低25%至30%。晶体管密度密度提高15%。

随着2nm技术的推进，晶圆价格也快速攀升。据消息人士透露，2nm晶圆价格已超过3万美元，远高于当前3nm晶圆的1.85万至2万美元价格。这意味着2nm工艺的成本将显著高于前代制程。台积电的报价因客户和订单量不同而有所浮动，部分客户可能获得优惠价格，但整体上涨趋势将影响芯片设计厂商和终端市场。