台积电被曝将于今年底从 ASML 接收首批 High NA EUV 光刻机

近日，据报道，台积电预计将于今年年底从 ASML 接收首批全球最先进的高数值孔径极紫外光刻机，仅比英特尔晚了几个月。

Digitimes 今年 9 月还曾报道称，台积电首部 High NA EUV 设备的购入价格远低于原定的 3.5 亿欧元报价。供应链表示，随着未来 3nm 产能满载与预计 2025 年 Q4 量产的 2nm 制程客户订单陆续落袋，台积电已重启 EUV 设备拉货动能，估计此波新单规模约达 70 台。

据报道，被称为高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机，是世界上最昂贵的芯片制造设备，每台的价格约为3.5亿美元。台积电、英特尔和三星是目前仅有的几家仍在竞相生产体积更小、性能更强半导体产品的全球芯片制造商，他们都严重依赖ASML的设备。

有消息人士透露，台积电将在本季度在其位于中国台湾新竹总部附近的研发中心安装新的High NA EUV光刻机。在新设备用于大规模芯片生产之前，需要进行广泛的研究和工程工作，但消息人士称，台积电认为没有必要急于采取行动，“根据目前的研发成果，并不迫切需要使用最新版本的High NA EUV光刻机，但台积电不排除进行全面寻路和工程工作的机会，并利用业界最先进的设备进行试运行，该公司的目标是保留所有选择。”

消息人士称，台积电可能会在推出A10生产技术后才会考虑使用这些机器进行商业生产，可能在2030年之后。据悉，A10技术比台积电计划在2025年底投入生产的2nm技术高出大约两代。