英特尔确认 ASML 第二台 High NA EUV 光刻机完成安装

近日，在 SPIE 大会上，ASML 新任 CEO 傅恪礼（Christophe Fouquet）发表演讲，重点介绍了备受期待的 High NA EUV 光刻机。他表示，与最初的 EUV 光刻机相比，High NA EUV 的发布不太可能出现延迟。傅恪礼还透露，ASML 正在探索一种新方法，即在客户工厂直接组装扫描仪子组件，省去拆卸及再组装的过程，这将显著节省时间和成本，加快 High NA EUV 光刻机的开发与交付。

随后，英特尔院士兼光刻总监 Mark Phillips 上台发言，宣布英特尔已在波特兰工厂成功安装了两台 High NA 光刻系统。他分享了相较于标准 EUV 光刻机，High NA 技术所带来的改进超出了预期。此外，凭借以往的经验，第二台光刻系统的安装速度比第一台更快，相关基础设施已经到位并开始运行，光刻掩模检测工作也在按计划进行。

在回答关于化学放大抗蚀剂（CAR）与金属氧化物抗蚀剂的问题时，Mark 表示，目前 CAR 足够使用，但未来可能需要金属氧化物光刻胶。英特尔的目标是在 Intel 14A 工艺中实现这些技术，预计将在 2026 至 2027 年间量产，进展可能比预期更快。