英特尔发布 Intel 3 工艺节点细节详解 终极 FinFET 工艺
近日，在2024 IEEE VLSI 研讨会上，英特尔详细介绍了其最新的 Intel 3 工艺节点。这是英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，相较于前代的 Intel 4 工艺，Intel 3 工艺在多个方面进行了改进和提升。
英特尔将 Intel 3 定位为一个长期提供代工服务的节点家族，包含基础 Intel 3 和三个变体节点。
以下是各变体节点的主要特点：
- Intel 3-E：原生支持 1.2V 高电压，特别适合模拟模块的制造。
- Intel 3-PT：进一步提升整体性能，支持更精细的 9μm 间距 TSV 和混合键合，旨在成为未来多年的主流选择。
技术细节和优势详解：
1. EUV 技术应用：相较于 Intel 4 工艺，Intel 3 增加了使用极紫外光刻（EUV）的步骤，从而提高了制造精度和效率。
2. 高密度（HD）库：Intel 3 引入了 210nm 的高密度库，与 Intel 4 工艺的 240nm 高性能库相比，在晶体管性能取向上提供了更多选择。英特尔表示，采用高密度库的基础 Intel 3 工艺可使频率相较于 Intel 4 提升至多 18%。
3. 密度提升：基础版 Intel 3 工艺的密度相比 Intel 4 增加了 10%，实现了“全节点”级别的提升。
晶体管结构与金属布线层
晶体管结构：英特尔在 Intel 3 节点的晶体管结构上做了优化，使其在性能和功耗方面均有显著提升。
金属布线层：Intel 3 在 Intel 4 的 14+2 层基础上，提供了 12+2 和 19+2 两种新选项，分别面向低成本和高性能用途。具体到每个金属层，英特尔在关键层 M0 和 M1 上保持了与 Intel 4 相同的间距，而 M2 和 M4 的间距则从 45nm 降低至 42nm，以提升布线密度和性能。
英特尔的 Intel 3 工艺节点凭借其在晶体管性能、密度和金属布线层方面的多项改进，成为英特尔的“终极 FinFET 工艺”。未来，Intel 3-PT 预计将与更先进的埃米级工艺节点一同被广泛应用于内外部代工客户，助力高性能计算和低功耗设备的发展。英特尔的这一系列创新，无疑将在半导体行业引发广泛关注，并推动下一代技术的进步。
