三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试

5月27日消息，关于三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。一些“知情人士”声称，三星的芯片面临发热和功耗等问题。

然而，韩国媒体Business Korea报道称，三星电子已经发布声明否认了这些报道。他们声称正在与多家全球合作伙伴一起进行顺利的HBM芯片测试，并与其他商业伙伴合作，以确保产品质量和可靠性。

三星最近开始批量生产第五代HBM芯片，即24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的HBM3E产品。与竞争对手SK海力士和美光不同的是，三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片，这导致其在能耗方面存在一定劣势。加上此次负面报道的影响，一些分析师开始怀疑三星是否有能力迅速夺回来自SK海力士的市场份额。