英特尔宣布高数值孔径EUV光刻机启用
近日，英特尔（Intel）宣布完成了世界首台商用高数值孔径（High NA）EUV光刻机的安装，这标志着该公司在芯片制造技术领域的又一次重大突破。这台耗资约3.5亿美元（约合人民币25.23亿元）的庞然大物即将在今年内正式启用。
根据TheElec的报道，ASML公司截至明年上半年绝大部分高数值孔径EUV设备的订单已由英特尔承包，其中今年计划生产的五套设备将全部交付给这家美国芯片制造商。消息人士透露，由于ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为5到6台，这意味着英特尔将获得所有初始库存，而其竞争对手三星和SK海力士预计将在明年下半年才能获得该设备。
对于高数值孔径的意义，简单解释一下：光刻设备中的NA代表数值孔径，表示光学系统收集和聚光的能力。而高数值孔径EUV设备的NA值达到了0.55，相比于当前EUV设备的0.33，其聚光能力更强。这不仅可以在一维尺度上实现1.7倍的密度提升，在二维尺度上更是可以达到190%的密度提升，为芯片制造带来了巨大的进步。
英特尔代工旗下逻辑技术开发部门的光刻、硬件和解决方案主管菲利普斯表示，英特尔将于今年晚些时候将高数值孔径EUV光刻机投入制程开发工作。该公司将在18A尺度的概念验证节点上对高数值孔径EUV和传统0.33NA EUV光刻的混合使用进行测试，并在之后的14A节点上进入商业化量产阶段。
菲利普斯预测，高数值孔径EUV光刻机至少可在未来三代节点上沿用，从而将光刻技术的名义尺度突破到1纳米以下量级。同时，他认为将光线波长进一步缩短至6.7纳米可能会引入新的问题，因此更高的数值孔径（Hyper NA）可能是未来的技术方向之一。
面对高数值孔径EUV光刻带来的单芯片理论最大面积减小问题，菲利普斯表示，英特尔正在与EDA企业合作开发芯片“缝合”技术，以方便设计师使用。英特尔此次包圆ASML初始产能，获得今年全部高数值孔径EUV光刻机，表明其在芯片制造领域的雄心和实力。尽管其代工业务去年亏损了70亿美元，但这一重大进展将有助于英特尔加速在芯片制造技术上的领先优势，赢得更多客户的信任与合作。
