美光Micron推出HBM3E高带宽内存解决方案

近日，全球领先的存储解决方案提供商美光（Micron）宣布已开始量产其最新的HBM3E高带宽内存解决方案。这一消息引起了业界的广泛关注，尤其是在人工智能（AI）领域，HBM3E的推出将为AI应用的发展带来重大的推动。

根据美光Micron的宣布，英伟达（NVIDIA）的H200 Tensor Core GPU将采用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存，并将于2024年第二季度开始出货。美光Micron HBM3E的引脚速率超过9.2Gb/s，提供超过1.2TB/s的内存带宽，相比竞品，其功耗更低约30%，这将使数据中心能够无缝扩展其人工智能应用，为用户提供更加高效和强大的计算性能。

此外，美光Micron还计划在2024年3月推出12层堆叠的36GB容量HBM3E，预计将提供超过1.2TB/s的性能。这将进一步满足不断增长的AI应用对内存容量和带宽的需求，为用户提供更大规模的计算能力和数据处理能力。

值得一提的是，美光Micron将赞助于3月18日开幕的英伟达GTC全球人工智能大会，并将在会议上分享更多前沿AI内存产品系列和路线图。这标志着美光在AI领域的持续投入和创新，为行业发展注入了新的动力和活力。