三星Samsung即将在2024年ISSCC上展示其最新的内存技术
三星电子是全球领先的内存芯片制造商，其产品涵盖了从DRAM到NAND Flash的各种类型。在2024年2月，三星Samsung将在美国旧金山举行的IEEE国际固态电路峰会 (ISSCC) 上展示其最新的内存技术，包括GDDR7和DDR5。
GDDR7是一种专为高性能图形处理器 (GPU) 和游戏机设计的内存，它提供了比GDDR6 更高的带宽和更低的功耗。三星Samsung已经在2023年11月的高密度内存和接口会议 (HDMI) 上公布了GDDR7的部分细节，包括其采用了8纳米 (nm) 级工艺技术和16GB容量的芯片。据报道，GDDR7的I / O速度可达每个引脚20Gbps，比GDDR6高出一倍。
据铋读网了解，除了GDDR7，三星Samsung还将在ISSCC上发布一款全新的DDR5内存芯片，这是一种面向服务器和数据中心的内存，它也提供了比 DDR4 更高的带宽和更低的功耗。这款 DDR5芯片采用了12nm 级工艺技术和32GB容量，是目前市场上最大容量的DDR5芯片。这意味着，在不使用硅通孔 (TSV) 工艺的情况下，可以制造出高达128GB的DRAM模块，这对于需要大量内存的人工智能 (AI) 和大数据应用来说是非常有利的。
三星表示，这款 DDR5 芯片的 I / O 速度可达每个引脚 8000Mbps，并且采用了三星第五代 10nm 级晶圆代工节点的 Symmetric-Mosaic 架构设计，这是一种专为 DRAM 产品优化的设计方法。三星还表示，这款DDR5芯片可以实现单通道配置下的32GB和48 GB DIMM，以及双通道配置下的64GB和96GB DIMM。
三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoon Hwang在ISSCC上发表演讲时说：“我们很高兴能够在ISSCC上展示我们最新的内存技术，包括GDDR7和DDR5。这些技术将为 GPU、服务器和数据中心等领域提供更高的性能、更低的功耗和更大的容量。我们将继续推动内存技术的创新，满足未来计算需求。”
三星Samsung预计将在今年下半年开始量产GDDR7和DDR5芯片，并计划在未来几年内进一步提升其内存产品的性能和容量。
