SK海力士计划于2026年之前量产HBM4内存

近日，据Business Korea报道，SK海力士公司副总裁Chun-hwan Kim在SEMICON Korea 2024大会上表示，他们正计划于2026年之前实现HBM4的量产，以满足生成式人工智能快速发展带来的巨大需求。生成式人工智能市场预计将以每年 35% 的速度增长，这将推动处理器性能的提升，进而对内存带宽提出更高的要求。

HBM4内存将是HBM系列的最新成员，它将在HBM3E的基础上进一步提升内存带宽和容量。HBM4 将采用 2048 位接口，理论峰值带宽可超过1.5TB / s。为了控制功耗，HBM4 的数据传输速率预计保持在6GT/s左右。不过，2048 位接口需要更复杂的布线设计，这将导致 HBM4 的成本高于 HBM3 和 HBM3E。

目前单颗HBM3E内存堆栈能够提供高达1.2TB / s 的理论峰值带宽，如果一个内存子系统包含 6 个堆栈，总带宽则可达到惊人的 7.2 TB / s。然而，理论值与实际应用之间存在差距。例如，英伟达的 H200 显卡虽然搭载了 HBM3E 内存，但其提供的带宽“只有”4.8 TB / s，这可能是出于可靠性和功耗方面的考虑。

据铋读网了解，除了SK 海力士，三星也在积极研发 HBM4 内存，并同样计划于 2026 年量产。值得一提的是，三星还针对特定客户开发定制化 HBM 内存解决方案。

三星内存业务执行副总裁Jaejune Kim表示：“HBM4目前正在开发中，预计在2025年提供样品，2026 年实现量产。由于生成式人工智能的需求，定制化HBM内存也越来越受欢迎。我们不仅在开发标准产品，还将与关键客户讨论通过添加逻辑芯片为每个客户定制优化性能的 HBM 内存。”HBM4内存将为AI和HPC行业带来新的可能性和机遇。随着技术的不断进步和市场的不断扩大，我们期待看到更多创新和应用出现在这个领域。